Fabricado por: Solid State

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 150 V, 150 MHz, 5 W, 300 mA, 40 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 150V Frecuencia de Transición ft: 150MHz

Fabricado por: Solid State

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 140 V, 150 W, 16 A, 5 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 140V Disipación de Potencia Pd: 150W

Fabricado por: Solid State

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP, -60 V, 600 mW, -50 mA, 150 hFE, TO-78

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -60V Disipación de Potencia Pd: 600mW

Fabricado por: Solid State

Transistores Bipolares de RF

Transistor de RF - Bipolar, NPN, 30 V, 800 MHz, 5 W, 400 mA, 10 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Frecuencia de Transición ft: 800MHz

Fabricado por: Solid State

Transistores JFET

Transistor JFET, JFET, -40 V, 50 mA, -10 V, TO-18, JFET

Tensión de Ruptura (Vbr): -40V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -10V Encapsulado del Transistor: TO-18

Fabricado por: Solid State

Transistores JFET

Transistor JFET, JFET, -40 V, 20 mA, 100 mA, -6 V, TO-18, JFET

Tensión de Ruptura (Vbr): -40V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -6V Encapsulado del Transistor: TO-18

Fabricado por: Solid State

Transistores JFET

Transistor JFET, JFET, -40 V, 8 mA, 80 mA, -4 V, TO-18, JFET

Tensión de Ruptura (Vbr): -40V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -4V Encapsulado del Transistor: TO-18

Fabricado por: Solid State

Transistores JFET

Transistor JFET, JFET, -30 V, 50 mA, 50 mA, -10 V, TO-18, JFET

Tensión de Ruptura (Vbr): -30V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -10V Encapsulado del Transistor: TO-18

Fabricado por: Solid State

Transistores JFET

Transistor JFET, JFET, -30 V, 20 mA, 100 mA, -6 V, TO-18, JFET

Tensión de Ruptura (Vbr): -30V Tensión Máx. de Corte Vgs(off) Puerta-Fuente: -6V Encapsulado del Transistor: TO-18

Fabricado por: Solid State

Tiristores SCR

Tiristor, -30 V, 5 mA, 175 mA, 175 mA, TO-92, 3 Pines

Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 5mA Corriente It Promedio: 175mA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 175mA

Fabricado por: Solid State

Tiristores - TRIAC

BILATERAL SWITCH, 5MA,TO-92

Corriente en Estado Conductor IT(rms): 200mA Encapsulado del Triac: TO-92 Corriente de Disparo de Puerta Máx. (QI), Igt: 5mA

Fabricado por: Solid State

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 300 V, 2 MHz, 100 W, 5 A, 20 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V Frecuencia de Transición ft: 2MHz

Fabricado por: Solid State

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

BJT, NPN, 50V, 2A, TO-39

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 10W

Fabricado por: Solid State

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -75V TO-39

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -75V Frecuencia de Transición ft: 1MHz

Fabricado por: Solid State

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Disipación de Potencia Pd: 75W