Mostrando 11 resultados para Starpower
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SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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GD100HFY120C1S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 155 A, 2 V, 511 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 155A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 30,662€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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GD150HFY120C1S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 230 A, 2 V, 746 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 230A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 38,237€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |
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GD200HFY120C2S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 309A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 59,413€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD225HFY120C6S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 368A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 70,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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GD300HFY120C2S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 81,732€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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GD300HFY120C6S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 94,906€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13 |
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GD400HFY120C2S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 630A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 95,894€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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GD450HFY120C2S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 680A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 103,790€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD450HFY120C6S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 680A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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GD600HFY120C2S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 130,950€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD600HFY120C6S |
Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.09 kA, 2 V, 3.947 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.09kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
Precio unitario: 153,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11 |