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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
PCLT-2AT4-TR
PCLT-2AT4-TR

Fabricado por: Stmicroelectronics

Diodos Zener

STMicroelectronics 5.1 x 1.05 x 4.5mm Simple 0.7V PCLT-2AT4-TR +150 °C -25 °C Montaje superficial 24V 2 TSSOP 14 Diodo

Otros nombres: Dispositivo Protección ESD, TVS, TSSOP, 14 Pines, PCLT Series, ESD Protection Device, TVS, TSSOP, 14 Pins, PCLT Series.

- Precio unitario: 0,924€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD20010-E
PD20010-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 59 W, 2 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Disipación de Potencia Pd: 59W

Precio unitario: 9,846€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 267
PD20015-E
PD20015-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 7 A, 79 W, 2 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Disipación de Potencia Pd: 79W

Precio unitario: 14,346€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 54
PD54008L-E
PD54008L-E

Fabricado por: STMicroelectronics

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 5A; 26,7W; PowerFLAT™; SMT

- Precio unitario: 4,145€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD55003-E
PD55003-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 2.5A Disipación de Potencia Pd: 31.7W

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 40V; 2,5A; 31,7W; SO10RF; SMT.

Precio unitario: 6,082€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3898
PD55003L-E
PD55003L-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

MOSFET

MOSFET, PD55003L-E, N-Canal-Canal, 2,5 A, 40 V, 14-Pin, PowerFLAT Simple Si

- Precio unitario: 5,393€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD55008-E
PD55008-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, LdmoST, Canal N, 40 V, 4 A, 52.8 W, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Disipación de Potencia Pd: 52.8W

Precio unitario: 8,400€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 127
PD55015-E
PD55015-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

MOSFET

MOSFET, PD55015-E, N-Canal-Canal, 5 A, 40 V, 10-Pin, PowerSO Simple Si

Otros nombres: Transistor FET de RF, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF.

- Precio unitario: 14,192€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD55025S-E
PD55025S-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 40 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Disipación de Potencia Pd: 79W

Precio unitario: 15,559€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD57006-E
PD57006-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

MOSFET

MOSFET, PD57006-E, N-Canal-Canal, 1 A, 65 V, 4-Pin, PowerSO Simple Si

Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.

Otros nombres: Transistor FET de RF, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC.

Precio unitario: 7,964€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
PD57030S-E
PD57030S-E

Fabricado por: STMicroelectronics

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 4A; 52,8W; SO10RF; Psal: 30W

Precio unitario: 32,010€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD57060S-E
PD57060S-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Disipación de Potencia Pd: 79W

Precio unitario: 38,247€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 171
PD84001
PD84001

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 18 V, 1.5 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 18V Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Disipación de Potencia Pd: 6W

Otros nombres: MOSFET, PD84001, N-Canal-Canal, 1,5 A, 18 V, 3-Pin, SOT-89 Simple Si.

Precio unitario: 1,057€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 319
PD84002
PD84002

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 25 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Disipación de Potencia Pd: 6W

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 25V; 2A; 6W; SOT89; Psal: 2W; SMT.

Precio unitario: 1,853€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
PD84008L-E
PD84008L-E

Fabricado por: Stmicroelectronics

Transistores FET de RF

RF TRANSISTOR, 25V, 1GHZ, POWERFLAT-8

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V Corriente de Drenaje Continua Id: 7A Disipación de Potencia Pd: 26.7W

Otros nombres: Transistor FET de RF, 25 V, 7 A, 26.7 W, 1 GHz, PowerFLAT.

Precio unitario: 5,752€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6000