Mostrando 2368 resultados para TOSHIBA.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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EMPP008Z |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 13,978€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT15J341 |
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Fabricado por:
IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple |
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Precio unitario: 1,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT15J341,S4X(S |
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Fabricado por:
IGBT 600V 15A 1,5V TO-220SIS |
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Precio unitario: 1,028€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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GT20J341 |
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Fabricado por:
IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple |
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Precio unitario: 1,601€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT30J110SRA,S1E |
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Fabricado por:
IGBT 600V 49A 2,0V TO-3PN |
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Precio unitario: 1,911€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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GT30J121 |
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Fabricado por:
IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple |
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Precio unitario: 2,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT30J121Q |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 2,183€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 33 |
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GT30J324 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 30 A, 2.45 V, 170 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V Disipación de Potencia Pd: 170W |
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Precio unitario: 4,976€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT50J325 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 Pines Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V Disipación de Potencia Pd: 240W |
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Precio unitario: 7,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT50JR21 |
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Fabricado por:
IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple |
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Precio unitario: 3,880€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT50JR21(STA1,E,S) |
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Fabricado por:
IGBT 600V 49A 2,0V TO-3PN |
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Precio unitario: 2,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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GT50JR22 |
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Fabricado por:
IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple |
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Precio unitario: 3,955€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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GT50JR22(STA1,E,S) |
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Fabricado por:
IGBT 600V 44A 2,2V TO-3PN |
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Precio unitario: 2,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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GT60PR21,STA1F(S |
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Fabricado por:
IGBT, GT60PR21,STA1F(S, N-Canal, 60 A, 1100 V, TO-3P, 3-Pines, 0.6μs El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 2,328€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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HDTB330EK3CB |
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Fabricado por:
Disco duro externo Toshiba, 3 TB, Externo Quickly transfer files with SuperSpeed USB 3.0 and store up to 3 TB of data on Canvio Basics external hard drives. These devices are ready to use with Microsoft Windows and require no software installation, so it couldnt be easier to start storing all of your favourite files. Whether at your desk, or on the go, its timeless design with the matt finish means itll always look good. Whats more, the hard drive also allows … |
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Precio unitario: 169,120€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |