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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SI1539CDL-T1-GE3
SI1539CDL-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,110€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3345
SI1553CDL-T1-GE3
SI1553CDL-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 700 mA, 20 V, 0.325 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Otros nombres: MOSFET, SI1553CDL-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 400 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si.

Precio unitario: 0,115€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1865DDL-T1-GE3.
SI1865DDL-T1-GE3.

Fabricado por: Vishay

Interruptores de Distribución de Potencia

POWER LOAD SW, HIGH SIDE, -55 TO 150DEGC

Tipo de Interruptor de Carga: High Side Tensión de Entrada: 12V Límite de Corriente: 1.1A

Precio unitario: 0,138€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1869DH-T1-E3
SI1869DH-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N y P, 1.2 A, 20 V, 0.132 ohm, 4.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 1.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Otros nombres: IC: power switch; high-side; 1,2A; Canales: 1; P-Channel; SMD; SC70.

Precio unitario: 0,186€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1869DH-T1-GE3
SI1869DH-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Circuitos Integrados de Interruptor de Alimentación

Interruptor de carga IC SI1869DH-T1-GE3, SC-70 6 pines

- Precio unitario: 0,363€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1902CDL-T1-GE3
SI1902CDL-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI1902CDL-T1-GE3, N-Canal-Canal, 1,1 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 Simple

- Precio unitario: 0,093€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1902DL-T1-E3
SI1902DL-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 700 mA, 20 V, 0.32 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Precio unitario: 0,112€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1912EDH-T1-E3
SI1912EDH-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.13 A, 20 V, 0.22 ohm, 4.5 V, 450 mV

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 1.13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Precio unitario: 0,168€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1922EDH-T1-GE3
SI1922EDH-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI1922EDH-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 1,3 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si

Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV.

- Precio unitario: 0,260€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1926DL-T1-E3
SI1926DL-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 370 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 370mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,137€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2820
SI1926DL-T1-GE3
SI1926DL-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI1926DL-T1-GE3 Dual, N-Canal, 370 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88)

Precio unitario: 0,125€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
SI1965DH-T1-GE3
SI1965DH-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI1965DH-T1-GE3, Dual, P-Canal, 1,2 A, 12 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si

- Precio unitario: 0,135€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI1967DH-T1-GE3
SI1967DH-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SI1967DH-T1-GE3, Dual, P-Canal, 1,1 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si

Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV.

- Precio unitario: 0,104€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI2300DS-T1-GE3
SI2300DS-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

N-Ch MOSFET SOT-23 30V 68mohm @ 4.5V

Otros nombres: MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3.

- Precio unitario: 0,230€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

P CHANNEL MOSFET, FULL REEL

Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -2.4 A, -20 V, 0.1 ohm, -4.5 V, -950 mV, Transistor MOSFET, SI2301BDS-T1-E3, P-Canal, 2,2 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23.

Precio unitario: 0,207€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 45000