Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4168DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 30V 24A 5,7mOhm SO-8 |
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Precio unitario: 0,476€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SI4174DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13,5A; 3,2W; SO8.
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2420 |
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SI4178DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4178DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,255€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3137 |
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SI4186DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 35.8V, 35.8A Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 35.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI4186DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 36 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |
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SI4190ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18.4 A, 100 V, 0.0073 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI4190ADY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 18 A, 100 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2127 |
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SI4202DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12,1A; Idm: 50A; 2,6W; SO8 |
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Precio unitario: 0,485€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4204DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,815€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4214DDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8.5 A, 30 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI4214DDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si, MOSFET, SI4214DDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 7.5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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Precio unitario: 0,288€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4228DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N/N-CH 25V 8A 18mOhm SO-8 |
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Precio unitario: 0,517€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SI4286DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI4286DY-T1-GE3 Dual, N-Canal, 7 A, 40 V, 8-Pin, SOIC
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 7 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V.
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Precio unitario: 0,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SI4288DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 9.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,489€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2430 |
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SI4378DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 1,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |
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SI4401BDY-E3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2625 |
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SI4401BDY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.7 A, -40 V, 0.011 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 0,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4401BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-CH 40V 8,7A 11mOhm SO-8 |
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |