Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI4463CDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-CH 20V 15A 10mOhm SO-8
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV.
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Precio unitario: 0,371€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SI4464DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI4464DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 1,7 A, 200 V, 8-Pin, SOIC Simple Si
Otros nombres: MOSFET, SI4464DY-T1-GE3, N-Canal-Canal, 1.7 A, 200 V, 8-Pin, SOIC Simple Si.
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Precio unitario: 0,509€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4465ADY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -450 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 13.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V |
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Precio unitario: 0,774€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10795 |
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SI4465ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 13.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V |
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Precio unitario: 1,504€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 88 |
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SI4477DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-CH 20V 26,6A 6,2mOhm SO-8
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V.
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Precio unitario: 0,766€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4483ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-CH 30V 19,2A 7,3mOhm SO-8 |
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Precio unitario: 0,980€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SI4488DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,744€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4488DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 150 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,751€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4490DY-E3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4490DY-T1-E3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4490DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.85 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.85A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,796€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4497DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-Ch MOSFET SO-8 BWL 30V 3.3mohm @ 10V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -36 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -2.5 V.
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Precio unitario: 1,484€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4501ADY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC Polaridad de Transistor: N and P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,725€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4501BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI4501BDY-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 6,4 A, 12 A, 8 V, 30 V, 8-Pin, SOIC Drenaje común Si |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI4511DY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 7.2 A, 20 V, 0.0115 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 7.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,569€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |