Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI5432DC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.016 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,224€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5441BDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -6.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,750€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1284 |
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SI5448DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 40 V, 0.00646 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI5448DU-T1-GE3, N-Canal, 25 A, 40 V, 8-Pin, PowerPAK ChipFET.
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5749 |
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SI5468DC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI5468DC-T1-GE3, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 8-Pin, 1206 ChipFET Simple Si |
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Precio unitario: 0,291€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5475DDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5504BDC-T1-E3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5513CDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI5513CDC-T1-GE3 Dual N/P-Canal, 3 A, 3,5 A, 20 V, 8-Pin, 1206 ChipFET |
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Precio unitario: 0,195€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SI5513DC-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 4.2 A, 20 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 4.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5515CDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N/P-Ch 1206-8 ChipFET 20V 40/100mohm @
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 400 mV.
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Precio unitario: 0,218€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5517DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI5517DU-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 3,7 A, 7,2 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK ChipFET Aislado Si |
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Precio unitario: 0,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5855DC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,9A; 0,6W |
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Precio unitario: 0,466€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI5902DC-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 2.9 A, 30 V, 0.072 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,462€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 89 |
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SI5908DC-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.4 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,494€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7317 |
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SI5922DU-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N, 6 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,519€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 89 |
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SI5935CDC-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.083 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI5935CDC-T1-GE3, Dual, P-Canal, 3,8 A, 20 V, 8-Pin, 1206 ChipFET Aislado Si.
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Precio unitario: 0,178€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |