Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIDR402DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
N-Channel 40 V (D-S) MOSFET |
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Precio unitario: 1,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIDR608DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIDR608DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 208 A, 45 V, 8-Pin, PowerPAK SO Simple MOSFET N-Channel 45 V (D-S).
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 208 A, 45 V, 0.001 ohm, 10 V, 2.3 V.
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Precio unitario: 1,089€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIDR610DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 39.6 A, 200 V, 0.0239 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 39.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 1,339€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIDR622DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 56.7 A, 150 V, 0.0147 ohm, 10 V, 4.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 56.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 1,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR626DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 60V 100A 1,4mOhm PPAKSO-8
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 60 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3.4 V.
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Precio unitario: 1,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIDR638DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 40 V, 0.00073 ohm, 10 V, 2.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,753€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR638DP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIDR638DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 8-Pin, POWERPAK SO-8DC TrenchFET® Gen IV |
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Precio unitario: 1,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR668DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 95 A, 100 V, 0.004 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 95A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 1,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SIDR680ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIDR680ADP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 137 A., 80 V, 8-Pin, POWERPAK SO-8DC SiDR680ADP |
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Precio unitario: 0,945€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR680DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 A, 80 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3.4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIDR870ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 95 A, 100 V, 0.0055 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 95A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,736€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5652 |
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SIHA100N60E-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHA100N60E-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 Simple |
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Precio unitario: 4,040€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHA105N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHA105N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 FULLPAK SiHA105N60EF |
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Precio unitario: 2,287€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHA11N80E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V |
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Precio unitario: 1,558€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1000 |
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SIHA120N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |