Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHF15N60E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,873€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 283 |
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SIHF15N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 15A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2314 |
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SIHF16N50C-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 2,648€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHF18N50D-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
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Precio unitario: 1,154€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 355 |
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SIHF22N60E-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHF22N60E-E3, N-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 2,018€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SIHF22N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,882€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5488 |
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SIHF22N60S-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 22 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,407€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHF28N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHF28N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP EF Series Simple Si |
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Precio unitario: 2,686€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHF30N60E-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHF30N60E-E3, N-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). |
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Precio unitario: 4,132€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SIHF30N60E-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHF30N60E-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP E Series Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 4,058€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHF35N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 600 V, 0.084 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,450€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHF530STRL-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHF530STRL-GE3, N-Canal, 14 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) |
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Precio unitario: 1,287€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIHF530STRR-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHF530STRR-GE3, N-Canal-Canal, 14 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si |
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Precio unitario: 1,338€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHF5N50D-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHF5N50D-E3, N-Canal-Canal, 5,3 A, 500 V, 3-Pin, TO-220FP D Series Simple Si.
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Precio unitario: 0,417€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 264 |
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SIHF620S-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHF620S-GE3, N-Canal-Canal, 5,2 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si |
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Precio unitario: 1,344€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |