Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP050N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 51 A, 600 V, 0.043 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 51A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 4,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIHP052N60EF-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIHP052N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 48 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB SiHP052N60EF |
- |
Precio unitario: 4,225€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP065N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 600 V, 0.057 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHP065N60E-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 600 V, 3 + Tab-Pin, TO-220AB E Series Simple.
|
|
Precio unitario: 3,570€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1042 |
|
|
SIHP068N60EF-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIHP068N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 41 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB SiHP068N60EF |
- |
Precio unitario: 2,350€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP100N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.086 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 1,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIHP10N40D-E3 |
|
Fabricado por:
|
- |
Precio unitario: 1,398€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP10N40D-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIHP10N40D-GE3, N-Canal-Canal, 10 A, 400 V, 3-Pin, TO-220AB D Series Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V.
|
- |
Precio unitario: 0,960€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP11N80E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V
Otros nombres: TMOS2409.
|
|
Precio unitario: 1,533€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 997 |
|
|
SIHP125N60EF-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIHP125N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 16 A, 25 A., 650 V, 3-Pin, TO-220AB EF |
- |
Precio unitario: 2,905€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP12N50C-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 500 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
|
Precio unitario: 1,707€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59 |
|
|
SIHP12N50E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
|
Precio unitario: 0,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 441 |
|
|
SIHP12N60E-E3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
|
Precio unitario: 1,057€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP12N60E-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIHP12N60E-GE3, N-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, TO-220AB Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2 V.
|
|
Precio unitario: 1,239€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
|
|
SIHP14N50D-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB
Otros nombres: MOSFET N-Ch 500V 14A Low Cap. TO220AB.
|
|
Precio unitario: 1,542€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIHP15N50E-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.5 A, 500 V, 0.243 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V |
|
Precio unitario: 1,049€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1088 |