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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -20 V, 0.0167 ohm, -4.5 V, -1 V

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Precio unitario: 1,426€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5995
SIS932EDN-T1-GE3
SIS932EDN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 30 V, 0.018 ohm, 4.5 V, 1.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,175€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6000
SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0041 ohm, -10 V, -2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Precio unitario: 0,288€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4864
SISA04DN-T1-GE3
SISA04DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Otros nombres: MOSFET, SISA04DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si.

Precio unitario: 0,449€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 367
SISA10DN-T1-GE3
SISA10DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SISA10DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 TrenchFET Simple Si

- Precio unitario: 0,695€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISA12ADN-T1-GE3
SISA12ADN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

STDMOS1528

N-CH 30V 25A 3,2mOhm...

Precio unitario: 0,500€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SISA18ADN-T1-GE3
SISA18ADN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 38.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,184€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2475
SISA24DN-T1-GE3
SISA24DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

STDMOS1206

N-CH 25V 60A 1,4mOhm...

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.1 V.

Precio unitario: 0,499€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SISA26DN-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 60 A, 25 V, 0.00215 ohm, 10 V, 2.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,243€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6045
SISA35DN-T1-GE3
SISA35DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS7039

P-CH 30V 16A 15mOhm...

Precio unitario: 0,165€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SISA40DN-T1-GE3
SISA40DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 162 A, 20 V, 0.00092 ohm, 10 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 162A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Precio unitario: 0,269€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SISA72ADN-T1-GE3
SISA72ADN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS2640

N-CH 40V 94A 2,71mOhm PPAK1212

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 94 A, 40 V, 0.00271 ohm, 10 V, 2.4 V.

Precio unitario: 0,448€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SISA88DN-T1-GE3
SISA88DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40.5 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.4 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,137€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5980
SISA96DN-T1-GE3
SISA96DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,136€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 8185
SISC06DN-T1-GE3
SISC06DN-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.1 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Otros nombres: MOSFET, SISC06DN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Simple Si.

Precio unitario: 0,302€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6050