Mostrando 33825 resultados para VISHAY.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SIZ918DT-T1-GE3
SIZ918DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,419€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2955
SIZ920DT-T1-GE3
SIZ920DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 40 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,622€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZ926DT-T1-GE3
SIZ926DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 25 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,521€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6
SIZ980DT-T1-GE3
SIZ980DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,537€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZ998BDT-T1-GE3
SIZ998BDT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SIZ998BDT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 94,6 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5 SiZ998BDT

- Precio unitario: 0,458€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZ998DT-T1-GE3
SIZ998DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,522€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 17388
SIZF906ADT-T1-GE3
SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,525€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 50
SIZF914DT-T1-GE3
SIZF914DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 25 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25V

Precio unitario: 0,584€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay Siliconix

MOSFET

MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2.2 V.

- Precio unitario: 1,087€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SIZF918DT-T1-GE3
SIZF918DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble + Schottky, 60 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,534€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6050
SIZF920DT-T1-GE3
SIZF920DT-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 197 A, 30 V, 0.0007 ohm, 10 V, 2.2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 197A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Precio unitario: 0,814€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 100
SL02-GS08
SL02-GS08

Fabricado por: Vishay

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, AEC-Q101, 20 V, 1.1 A, Único, DO-219AB, 2 Pines, 420 mV

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 20V Corriente Directa If(AV): 1.1A Configuración de Diodo: Único

Otros nombres: DSKYS4728, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SMD; 20V; 1,1A; 10ns, Schottky Diode, 20V, 1.1A.

Precio unitario: 0,093€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 26465
SL03-GS08
SL03-GS08

Fabricado por: VISHAY

Diodos Schottky SMD

Diodo: rectificador de barrera Schottky; SMD; 20V; 1,1A; DO219AB

Otros nombres: Rectificador Schottky, 30 V, 1.1 A, Único, DO-219AB, 2 Pines, 430 mV, Schottky Diode, 30V, 1.1A.

Precio unitario: 0,053€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 1300
SL04-E3-08
SL04-E3-08

Fabricado por: Vishay

Diodos Schottky Rectificadores

Rectificador Schottky, 40 V, 1.1 A, DO-219AB, 2 Pines, 420 mV

Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 40V Corriente Directa If(AV): 1.1A Encapsulado del Diodo: DO-219AB

Otros nombres: DSKY4723.

Precio unitario: 0,098€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 33913
SL04-GS08
SL04-GS08

Fabricado por: Vishay

Schottky Diodes

DSKYS4661

SCHOTTKY-DIODE 1.1A 40V SMF

Otros nombres: Rectificador Schottky, AEC-Q101, 40 V, 1.1 A, Único, DO-219AB, 2 Pines, 510 mV.

- Precio unitario: N/D
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí