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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SQ2309ES-T1_GE3
SQ2309ES-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, 2.3 A, 60 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Otros nombres: AEQC101 Qualified P-CHANNEL 60-V (D-S) 1.

Precio unitario: 0,160€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 19017
SQ2310ES-T1-GE3
SQ2310ES-T1-GE3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3,5A; 0,6W; SOT23

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV.

Precio unitario: 0,236€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 2012
SQ2310ES-T1_GE3
SQ2310ES-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

AEC-Q101 MOSFET, SQ2310ES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 SQ Rugged Simple Si

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV.

- Precio unitario: 0,483€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2315ES-T1-GE3
SQ2315ES-T1-GE3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5A; Idm: -20A; 0,67W; SOT23

- Precio unitario: 0,190€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2315ES-T1_GE3
SQ2315ES-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SQ2315ES-T1_GE3, P-Canal, 3 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23 SQ Rugged Simple Si

- Precio unitario: 0,124€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2318AES-T1-GE3
SQ2318AES-T1-GE3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal N SMD

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4,6A; 1W; SOT23

Precio unitario: 0,189€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2318AES-T1_GE3
SQ2318AES-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

AEQC101 Qualified N-CHANNEL 40-V (D-S) 1

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 40 V, 0.125 ohm, 10 V, 2 V.

- Precio unitario: 0,124€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2318BES-T1_GE3
SQ2318BES-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SQ2318BES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23

- Precio unitario: 0,146€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2319ADS-T1-GE3
SQ2319ADS-T1-GE3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0,5W; SOT23

Precio unitario: 0,258€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -4.6 A, -40 V, 0.068 ohm, -10 V, -2 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V

Otros nombres: TMOS2440.

Precio unitario: 0,177€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2325
SQ2325ES-T1-GE3
SQ2325ES-T1-GE3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23

- Precio unitario: 0,252€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2325ES-T1_GE3
SQ2325ES-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS1198

P-CH 150V MosFet AECQ SOT-23

Precio unitario: 0,226€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SQ2337ES-T1-GE3
SQ2337ES-T1-GE3

Fabricado por: VISHAY

Transistores con canal P SMD

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1,3A; 1W; SOT23

Precio unitario: 0,258€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 1537
SQ2337ES-T1_GE3
SQ2337ES-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

AEQC101 Qualified P-CHANNEL 80-V (D-S) 1

- Precio unitario: 0,165€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQ2348ES-T1-GE3
SQ2348ES-T1-GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS1136

N-CH 30V 8A 24mOhm TrenchFET

Precio unitario: 0,163€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí