Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQJ264EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SQJ264EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 54 A, 60 V, 6-Pin, POWERPAK SO-8L asimétrico SQJ264EP |
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Precio unitario: 0,726€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ402EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 83W; PowerPAK® SO8 |
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Precio unitario: 0,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ407EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0036 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,482€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9563 |
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SQJ409EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -40 V, 0.0058 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: TMOS6806.
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Precio unitario: 0,444€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18615 |
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SQJ411EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -12 V, 0.0048 ohm, -4.5 V, -600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,426€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2382 |
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SQJ412EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,889€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ412EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,767€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ414EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0098 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,272€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |
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SQJ415EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -30 A, -40 V, 0.0115 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ415EP-T1_GE3, P-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,311€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2980 |
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SQJ416EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 100V 30A 22mOhm PPAK... |
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Precio unitario: 0,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ418EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 100V 48A 11mOhm PPAK SO-8 |
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Precio unitario: 0,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SQJ420EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 40 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5591 |
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SQJ431AEP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -9.4 A, -200 V, 0.254 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -9.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,500€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2310 |
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SQJ431EP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,026€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQJ431EP-T1_GE3 |
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Fabricado por:
PCH -20V -12A 213mOhm SO-8L
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -200 V, 0.178 ohm, -10 V, -3 V.
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Precio unitario: 0,771€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |