Mostrando 33825 resultados para VISHAY.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SQJB42EP-T1_GE3
SQJB42EP-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

AEC-Q101 MOSFET, SQJB42EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 A, 40 V, 8-Pin, SO TrenchFET

Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 40 V, 0.0079 ohm, 10 V, 3 V.

- Precio unitario: 0,367€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJB46ELP-T1_GE3
SQJB46ELP-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SQJB46ELP-T1_GE3, N-Canal-Canal, 40 V, PowerPAK SO-8L

- Precio unitario: 0,451€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJB46EP-T1_GE3
SQJB46EP-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SQJB46EP-T1_GE3, 40 V, PowerPAK SO-8L

- Precio unitario: 0,965€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJB60EP-T1_GE3
SQJB60EP-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 0,365€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 516
SQJB68EP-T1_GE3
SQJB68EP-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 11 A, 100 V, 0.0765 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Precio unitario: 0,321€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3002
SQJB70EP-T1-GE3
SQJB70EP-T1-GE3

Fabricado por: VISHAY

Transistores multicanal

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6,5A; 9W; PowerPAK® SO8

Precio unitario: 0,369€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJB70EP-T1_GE3
SQJB70EP-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 11.3 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Precio unitario: 0,305€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2192
SQJB80EP-T1_GE3
SQJB80EP-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 30 A, 80 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V

Precio unitario: 0,351€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5918
SQJQ100E-T1_GE3
SQJQ100E-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 200 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V

Precio unitario: 1,164€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJQ112E-T1_GE3
SQJQ112E-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS6784

N-CH 100V 296A 2,1mOhm PPAK...

Precio unitario: 2,619€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SQJQ140E-T1_GE3
SQJQ140E-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS6215

N-CH 40V 701A 0,44mOhm

Precio unitario: 1,484€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SQJQ142E-T1_GE3
SQJQ142E-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SQJQ142E-T1_GE3, N-Canal-Canal, 460 A, 40 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8L

- Precio unitario: 1,831€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJQ144AE-T1_GE3
SQJQ144AE-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SQJQ144AE-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 575 A, 40 V, 8-Pin, POWERPAK 8 x 8L SQJQ144AE

- Precio unitario: 0,937€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJQ148E-T1_GE3
SQJQ148E-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

MOSFET

MOSFET, SQJQ148E-T1_GE3, N-Canal-Canal, 375 A, 40 V, 4-Pin, POWERPAK 8 x 8L

- Precio unitario: 0,815€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SQJQ184ER-T1_GE3
SQJQ184ER-T1_GE3

Fabricado por: Vishay

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOS7080

N-CH 80V 430A 1.2mOhm PPAK...

Precio unitario: 2,881€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí