Mostrando 33825 resultados para VISHAY.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SQS411ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,246€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SQS415ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -16 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V |
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Precio unitario: 0,336€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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SQS420EN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.0235 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,209€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 265 |
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SQS423ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,394€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS460EN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,372€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS460EN-T1_GE3 |
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Fabricado por:
AEC-Q101 MOSFET, SQS460EN-T1_GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 SQ Rugged Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 0,400€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS460ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: STDMOS1296.
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Precio unitario: 0,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1702 |
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SQS462EN-T1_GE3 |
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Fabricado por:
AEC-Q101 MOSFET, SQS462EN-T1_GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 SQ Rugged Simple Si |
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Precio unitario: 0,311€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS481ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.7 A, -150 V, 0.91 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V |
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Precio unitario: 0,221€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8869 |
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SQS482ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,329€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20 |
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SQS484CENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,203€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS484EN-T1_GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 40V 16A 8mOhm PPAK1212-8 |
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Precio unitario: 0,325€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SQS944ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
AEC-Q101 MOSFET, SQS944ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 40 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 0,593€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQS966ENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 60 V, 0.028 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si.
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Precio unitario: 0,319€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SQSA12CENW-T1_GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 100V 5,4A 62mOhm PPAK12-8 |
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Precio unitario: 0,403€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |