Mostrando 33825 resultados para Vishay.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
|---|---|---|---|---|---|
|
SI9933CDY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SI9933CDY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 4 A, 20 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal P Doble, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V.
|
- |
Precio unitario: 0,240€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SI9945BDY |
|
Fabricado por:
|
|
Precio unitario: 0,291€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 502 |
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SI9945BDY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 5,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si
Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 5.3 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V.
|
- |
Precio unitario: 0,298€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIA106DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 60 V, 0.0142 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
|
Precio unitario: 0,259€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
|
|
SIA108DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 80 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SIA108DJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 80 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 Simple.
|
|
Precio unitario: 0,249€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
|
|
SIA110DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 100 V, 0.046 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
|
Precio unitario: 0,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5975 |
|
|
SIA413ADJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
|
Precio unitario: 0,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIA413DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -12 V, 0.024 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
|
Precio unitario: 0,330€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIA416DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIA416DJ-T1-GE3, N-Canal-Canal, 11,3 A, 100 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 ThunderFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 100 V, 0.068 ohm, 10 V, 1.6 V.
|
- |
Precio unitario: 0,469€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIA421DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12A, SC-70 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W.
|
|
Precio unitario: 0,435€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIA427ADJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -12 A, -8 V, 0.013 ohm, -4.5 V, -800 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -8V
Otros nombres: TMOSS6837.
|
|
Precio unitario: 0,149€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2230 |
|
|
SIA429DJT-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
MOSFET, SIA429DJT-T1-GE3, P-Canal, 8,5 A, 20 V, 6-Pin, PowerPAK SC-70 Simple Si |
- |
Precio unitario: 0,181€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIA430DJT-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
N-CH 20V 12A 13,5mOhm SC-70-6L |
|
Precio unitario: 0,247€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
|
|
SIA431DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
|
- |
Precio unitario: 0,320€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
|
|
SIA432DJ-T1-GE3 |
|
Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.0158 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
|
Precio unitario: 0,392€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |