Mostrando 33825 resultados para Vishay.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIHG21N80AE-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHG21N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 17,4 A, 800 V, 3-Pin, TO-247AC Simple
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 17.4 A, 800 V, 0.205 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 3,735€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG22N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.155 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHG22N60E-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 1,397€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG22N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHG22N60E-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si.
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Precio unitario: 2,076€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 171 |
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SIHG22N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHG22N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 19 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC Simple
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 600 V, 0.158 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 3,327€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG24N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 24A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: MOSFET, SiHG24N65E-GE3, N-Canal, 24 A, 650 V, 3-Pin, TO-247AC.
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Precio unitario: 2,823€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1194 |
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SIHG25N40D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 25 A, 400 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 400V
Otros nombres: MOSFET, SIHG25N40D-GE3, N-Canal-Canal, 25 A, 400 V, 3-Pin, TO-247AC D Series Simple Si.
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Precio unitario: 1,707€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 119 |
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SIHG25N50E-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 550V 26A 125mOhm TO-247AC |
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Precio unitario: 2,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIHG28N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHG28N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si |
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Precio unitario: 4,492€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG30N60AEL-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 600 V, 0.105 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 28A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,920€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SIHG30N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, SIHG30N60E-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC E Series Simple Si.
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Precio unitario: 2,949€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5834 |
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SIHG32N50D-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 500 V, 0.125 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V
Otros nombres: MOSFET, SIHG32N50D-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 500 V, 3-Pin, TO-247AC Simple Si.
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Precio unitario: 2,450€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 499 |
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SIHG33N60E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 5,587€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 70 |
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SIHG33N60EF-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIHG33N60EF-GE3, N-Canal-Canal, 33 A, 600 V, 3-Pin, TO-247AC EF Series Simple Si |
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Precio unitario: 4,496€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIHG33N65E-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 32.4 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 32.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 3,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |