Mostrando 33825 resultados para Vishay.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SIS414DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,226€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6886 |
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SIS415DNT-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIS415DNT-T1-GE3, P-Canal, 22 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si |
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Precio unitario: 0,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS430DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIS430DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 25 V, 8-Pin, PowePAK 1212 Simple Si |
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Precio unitario: 1,000€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS434DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 40 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V.
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Precio unitario: 0,768€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4031 |
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SIS438DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIS438DN-T1-GE3, N-Canal, 14,3 A, 20 V, 8-Pin, PowePAK 1212 |
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Precio unitario: 0,272€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIS443DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,545€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS454DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 20 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2972 |
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SIS468DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIS468DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 30 A, 80 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 ThunderFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 80 V, 0.016 ohm, 10 V, 1.5 V.
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Precio unitario: 0,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS472BDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 30V 38,3A 6mOhm...
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 2.4 V.
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Precio unitario: 0,291€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SIS476DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,314€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS606BDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35.3 A, 100 V, 0.0145 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,526€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS862ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 52 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 52A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, SIS862ADN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 52 A, 60 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple.
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Precio unitario: 0,345€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS862DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 60 V, 0.007 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOSP11560.
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Precio unitario: 0,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SIS890DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 100 V, 0.0195 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 18032 |
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SIS892ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SIS892ADN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 28 A, 100 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V.
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Precio unitario: 0,663€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |