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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
ULQ2003ADR .
ULQ2003ADR .

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

- Precio unitario: 0,182€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
ULQ2003ADR2G
ULQ2003ADR2G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Par Darlington, ULQ2003ADR2G, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,134€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 365
ULQ2003AQDRQ1 .
ULQ2003AQDRQ1 .

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 950mW

- Precio unitario: 0,292€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
ULQ2003ATDRQ1 .
ULQ2003ATDRQ1 .

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 950 mW, 500 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 950mW

- Precio unitario: 0,306€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 183
ULQ2003D1013TR
ULQ2003D1013TR

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN Doble, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: Par Darlington, ULQ2003D1013TR, NPN 500 mA, 50 V, SOIC, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,225€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10486
ULQ2004A
ULQ2004A

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

Otros nombres: IC: driver; darlington,matriz de transistores; DIP16; 0,5A; 50V, Par Darlington, ULQ2004A, NPN 500 mA, 50 V, PDIP, 16 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,174€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 806
ULQ2803A
ULQ2803A

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 2.25W

Otros nombres: Par Darlington, ULQ2803A, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000 @ 350 mA @ 2 V, PDIP, 18 pines Emisor común.

Precio unitario: 0,487€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 436
UMF28NTR
UMF28NTR

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 180 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,044€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
UMF5NTR
UMF5NTR

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, -12 V, 150 mW, -500 mA, 270 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -12V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,102€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
UMH6NTR
UMH6NTR

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 68 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,053€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
UMT1NFHATN
UMT1NFHATN

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, PNP Doble, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,051€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
UMT1NTN
UMT1NTN

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Híbrido, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: Transistor, UMT1NTN, PNP 150 mA 50 V Dual UMT, 6 pines, 140 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,052€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
UMX1NFHATN
UMX1NFHATN

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN Doble, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,049€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1549
UMX1NTN
UMX1NTN

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: TDSTD7078.

Precio unitario: 0,057€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1996
UMY1NTR
UMY1NTR

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-353

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,046€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí