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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
10N65-LGE
10N65-LGE

Fabricado por: LUGUANG ELECTRONIC

Transistores con canal N THT

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27,5W; TO220F

Precio unitario: 0,307€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 4769
12A02MH-TL-E
12A02MH-TL-E

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -12 V, 450 MHz, 600 mW, -1 A, 300 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -12V Frecuencia de Transición ft: 450MHz

Otros nombres: Transistor, 12A02MH-TL-E, PNP 1 A 12 V HFE:300 MCPH, 3 pines, 450 MHz, Simple.

Precio unitario: 0,042€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5819
12N65-LGE
12N65-LGE

Fabricado por: LUGUANG ELECTRONIC

Transistores con canal N THT

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 33,2W; TO220F

Precio unitario: 0,356€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 4264
15C01M-TL-E
15C01M-TL-E

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 330 MHz, 300 mW, 700 mA, 300 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 330MHz

Otros nombres: Transistor, 15C01M-TL-E, NPN 700 mA 15 V MCP, 3 pines, 330 MHz, Simple.

Precio unitario: 0,039€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5535
15C02CH-TL-E
15C02CH-TL-E

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 400 MHz, 700 mW, 1 A, 300 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 400MHz

Otros nombres: Transistor, 15C02CH-TL-E, NPN 1 A 15 V CPH, 3 pines, 400 MHz, Simple.

Precio unitario: 0,054€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3680
1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 270 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 270mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Precio unitario: 0,166€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1938
1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W

Fabricado por: On Semiconductor

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -100 V, 18 ohm, -10 V, -2.6 V

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -170mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V

Precio unitario: 0,138€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2699
1MBI1600U4C-170
1MBI1600U4C-170

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.47V

Precio unitario: 561,630€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
1MBI400V-120-50
1MBI400V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.

Precio unitario: 100,880€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
1MBI600V-120-50
1MBI600V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 720 A, 1.2 kV, 3 kW, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 720A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.

Precio unitario: 91,209€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
1MBI900V-120-50
1MBI900V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.04 kA, 1.2 kV, 4.3 kW, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.04kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.

Precio unitario: 150,350€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
2395
2395

Fabricado por: Nte Electronics

Transistores MOSFET Simples

Transistor Polarity:N Channel

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Precio unitario: 5,539€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
287-12000
287-12000

Fabricado por: Mcm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor Polarity:NPN

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Corriente de Colector DC: 8A

Precio unitario: 4,443€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 497
287-12002
287-12002

Fabricado por: Mcm

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor Polarity:PNP

Polaridad de Transistor: PNP Frecuencia de Transición ft: 250MHz Corriente de Colector DC: 200mA

- Precio unitario: 2,054€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 454
2ASC-12A1HP
2ASC-12A1HP

Fabricado por: MICROCHIP TECHNOLOGY

Módulos IGBT

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

Otros nombres: Placa de evaluación Driver de puerta MOSFET Microchip High Performance SiC Gate Driver Core - 2ASC-12A1HP.

Precio unitario: 92,373€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí