1MBI400V-120-50 | Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines

1 variante disponible.

Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module.

Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines

Fabricado por: Fuji Electric

Datasheet

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.