Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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1MBI1600U4C-170 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.47V |
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Precio unitario: 561,630€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI200U4H-120L-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, Único, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M259, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 139,777€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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1MBI400V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 100,880€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI600V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 720 A, 1.2 kV, 3 kW, Module.
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Precio unitario: 122,689€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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1MBI900V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.04 kA, 1.2 kV, 4.3 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.04kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 150,350€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBi200U4H-120L-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, N-Canal, 200 A, 1.200 V, M259, 7-Pines Simple |
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Precio unitario: 92,208€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBi400V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 99,454€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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1MBi600V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 124,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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1MBi900V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 186,483€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI100TA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100TA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M232, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 42,816€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 658 |
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2MBI100U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI100U4A-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 57,052€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI100VA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100VA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M263, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 48,878€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34 |
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2MBI100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi100VA-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines.
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Precio unitario: 40,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59 |
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2MBI1200U4G-120 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.22V |
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Precio unitario: 522,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI150U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.35V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI150U2A-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M232, 7-Pines.
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Precio unitario: 41,759€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |