Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2MBI150U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U4A-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 65,989€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI150U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI150U4B-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M233, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 74,806€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI150VA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi150VA-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M263, 7-Pines.
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Precio unitario: 58,355€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 66 |
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2MBI150VA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 785 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 67,555€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34 |
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2MBI200U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI200U2A-060-50, Serie, 200 A, 600 V, N-Canal, M235, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.45 V, 660 W, 600 V, Module.
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Precio unitario: 60,693€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI200U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI200U4B-120-50, Serie, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M233, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 76,614€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI200U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.05V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi200U4H-120-50, Serie, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines.
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Precio unitario: 92,907€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI200VA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi200VA-060-50, Serie, 200 A, 600 V, N-Canal, M263, 7-Pines.
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Precio unitario: 56,619€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 27 |
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2MBI200VH-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 240 A, 1.2 kV, 1.11 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 240A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi200VH-120-50, Serie, 240 A, 1.200 V, N-Canal, M276, 7-Pines.
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Precio unitario: 66,746€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI300U2B-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI300U2B-060-50, Serie, 300 A, 600 V, N-Canal, M233, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 2.45 V, 1 kW, 600 V, Module.
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Precio unitario: 102,621€ Unidades/pack: N/D Entrega: 11 días Stock: Sí |
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2MBI300U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4H-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 111,582€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI300U4J-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4J-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M250, 15-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 142,833€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI300U4N-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 2.05 V, 1.385 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.05V |
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Precio unitario: 47,443€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI300VB-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI300VB-060-50, Serie, 300 A, 600 V, N-Canal, M274, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 79,605€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI300VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300VE-120-50, Serie, 360 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 360 A, 1.2 kV, 2.2 kW, Module.
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Precio unitario: 139,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |