Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2MBI300VN-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.2 kV, 1.595 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV |
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Precio unitario: 97€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI400U2B-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBI400U2B-060-50, Serie, 400 A, 650 V, N-Canal, M233, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 98,973€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI400U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 400 A, 2.05 V, 2.045 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 400A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.05V
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi400U4H-120-50, Serie, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines.
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Precio unitario: 140,650€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI450VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VE-120-50, Serie, 520 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 520 A, 1.2 kV, 3.35 kW, Module.
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Precio unitario: 177,762€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI450VH-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 520 A, 1.2 kV, 2.4 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 520A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV |
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Precio unitario: 134,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI450VJ-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VJ-120-50, Serie, 450 A, 1.200 V, N-Canal, M260, 9-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 205,931€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBI450VN-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 450 A, 1.2 kV, 2.27 W, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 450A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI450VN-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M254, 11-Pines Serie.
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Precio unitario: 136,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI600VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi600VE-120-50, Serie, 700 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 700 A, 1.75 V, 4.8 kW, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 215,944€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI600VN-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 750 A, 1.85 V, 3.75 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 750A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V |
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Precio unitario: 233,770€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI650VXA-170E-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Dual Pack, Canal N Doble, 900 A, 2.1 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 900A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V |
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Precio unitario: 214,554€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBI75VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi75VA-120-50, Serie, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.85 V, 390 W, 1.2 kV, Module.
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Precio unitario: 72,731€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBI900VXA-120P-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Dual Pack, Canal N Doble, 1.2 kA, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.2kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 218,918€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBi100VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi100VA-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 39,159€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi150VA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi150VA-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 54,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi150VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi150VA-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 59,733€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |