Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2MBi200U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi200U4H-120-50, Serie, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 83,344€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi200VA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi200VA-060-50, Serie, 200 A, 600 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 55,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi200VH-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi200VH-120-50, Serie, 240 A, 1.200 V, N-Canal, M276, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 82,266€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4H-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 115,323€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300U4J-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300U4J-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M250, 15-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 147,624€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBi300VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300VE-120-50, Serie, 360 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 144,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi300VN-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi300VN-120-50, Serie, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M254, 11-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 98,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi400U4H-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi400U4H-120-50, Serie, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 117,186€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi450VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VE-120-50, Serie, 520 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 217,139€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi450VJ-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VJ-120-50, Serie, 450 A, 1.200 V, N-Canal, M260, 9-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 212,837€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2MBi450VN-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi450VN-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M254, 11-Pines Serie |
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Precio unitario: 167,257€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2MBi600VE-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi600VE-120-50, Serie, 700 A, 1.200 V, N-Canal, M277, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 223,197€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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2MBi75VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 2MBi75VA-120-50, Serie, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 61,993€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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2SK3586-01 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 73 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 73A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 2,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBI100U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBI100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M633, 35-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 118,798€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |