Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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6MBI300V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBI300V-120-50, N-Canal, 300 A, 1.200 V, M629, 29-Pines Trifásico |
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Precio unitario: 337,793€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBI450V-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBI450V-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M629, 29-Pines Trifásico |
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Precio unitario: 410,210€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBI50U4A-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBI50U4A-120-50, Puente trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, M636, 28-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 66,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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6MBI50VA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBI50VA-060-50, Puente trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, M636, 28-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 57,696€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBI75VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBI75VA-120-50, Puente trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M636, 28-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 89,612€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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6MBP100RA-060-55 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 6MBP100RA-060-55, Trifásico, 100 A, 600 V, N-Canal, P 610, 22-Pines IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis drivers por módulo. |
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Precio unitario: 94,022€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP15XSD060-50-P |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 15,588€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP15XSF060-50-P |
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Fabricado por:
IGBT, 6MBP15XSF060-50-P, 15 A, 600 V, IPM, 36-Pines Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar. |
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Precio unitario: 10,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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6MBP20XSD060-50-P |
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Fabricado por:
IGBT, 6MBP20XSD060-50-P, 20 A, 600 V, IPM, 36-Pines Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar. |
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Precio unitario: 13,540€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP20XSF060-50-P |
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Fabricado por:
IGBT, 6MBP20XSF060-50-P, 20 A, 600 V, IPM, 36-Pines Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar. |
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Precio unitario: 11,021€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP25VAA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 2.1 V, 166 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V
Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP25VAA-120-50, Trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.
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Precio unitario: 49,887€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 37 |
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6MBP30RH-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.7V |
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Precio unitario: 48,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP30VAA-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo de potencia inteligente, 6MBP30VAA-060-50, Trifásico, 30 A, 600 V, N-Canal, P 629, 20-Pines La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, … |
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Precio unitario: 46,124€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP30XSD060-50-P |
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Fabricado por:
IGBT, 6MBP30XSD060-50-P, 30 A, 600 V, IPM, 36-Pines Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar. |
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Precio unitario: 12,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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6MBP30XSF060-50-P |
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Fabricado por:
IGBT, 6MBP30XSF060-50-P, 30 A, 600 V, IPM, 36-Pines Fuji Electric ha desarrollado módulos IGBT diseñados para uso como elementos de conmutación para convertidores de potencia de variadores de velocidad para motores, fuentes de alimentación ininterrumpida, y mucho más. Los IGBT ofrecen unas características superiores, al combinar el rendimiento de conmutación de alta velocidad de un MOSEFT de potencia con la capacidad de control de alta tensión/alta corriente de un transistor bipolar. |
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Precio unitario: 15,413€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |