Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
6MBP35XSF060-50-P
6MBP35XSF060-50-P

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

IGBT, 6MBP35XSF060-50-P, 35 A, 600 V, IPM, 36-Pines

- Precio unitario: 9,729€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
6MBP50RA-060-55
6MBP50RA-060-55

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBP50RA-060-55, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 610, 22-Pines

IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis drivers por módulo.

Precio unitario: 66,833€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
6MBP50VAA-060-50
6MBP50VAA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VAA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 629, 20-Pines

La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, …

Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 2 V, 192 W, 600 V, Module.

Precio unitario: 38,800€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
6MBP50VBA-060-50
6MBP50VBA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VBA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 626, 24-Pines

La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, …

Precio unitario: 68,733€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
6MBP50VBA-120-50
6MBP50VBA-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VBA-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, P 626, 24-Pines, 20kHz Trifásico

- Precio unitario: 70,694€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
6MBi100VA-120-50
6MBi100VA-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBi100VA-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M636, 28-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Precio unitario: 103,499€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
6MBi300V-120-50
6MBi300V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 6MBi300V-120-50, Puente trifásico, 300 A, 1.200 V, N-Canal, M629, 29-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Precio unitario: 544,054€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
6MBi450V-120-50
6MBi450V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

Módulo IGBT, 6MBi450V-120-50, N-Canal, 450 A, 1.200 V, M629, 29-Pines Trifásico

- Precio unitario: 430,573€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
7MBP35VDA-120-50
7MBP35VDA-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo de potencia inteligente, 7MBP35VDA-120-50, Trifásico, 35 A, 1.200 V, N-Canal, P 630, 25-Pines

La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, …

Precio unitario: 126,934€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
7MBP50RA-120-55
7MBP50RA-120-55

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 7MBP50RA-120-55, Trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, P 610, 22-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Precio unitario: 99,425€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
7MBP50VDA-060-50
7MBP50VDA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

IGBT

Módulo de potencia inteligente, 7MBP50VDA-060-50, N-Canal, 50 A, 600 V, P 630, 25-Pines, 20kHz Trifásico

Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 7MBP50VDA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 630, 25-Pines Trifásico.

- Precio unitario: 65,436€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
7MBP75RA-120-55
7MBP75RA-120-55

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 7MBP75RA-120-55, Trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, P 610, 22-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Precio unitario: 127,616€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
7MBP75VDA-060-50
7MBP75VDA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo de potencia inteligente, 7MBP75VDA-060-50, Trifásico, 75 A, 600 V, N-Canal, P 630, 25-Pines

La serie V de módulos de potencia inteligente (IPM) de Fuji Electric está equipada con accionamiento, control y protección de circuitos IGBT. Son fáciles de implementar en aplicaciones de control de alimentación de servos AC, equipos de aire acondicionado y ascensores. Las funciones de protección integradas optimizan e incrementan la vida útil de los IGBT IPM, lo que garantiza la protección de la alta fiabilidad del sistema. Los IPM incorporan protección contra exceso de corriente, …

Precio unitario: 113,791€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
7MBR100U4B-120-50
7MBR100U4B-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 7MBR100U4B-120-50, Puente trifásico, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Precio unitario: 138,914€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
7MBR100VB-060-50
7MBR100VB-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Módulos IGBT

Módulo IGBT, 7MBR100VB-060-50, Puente trifásico, 100 A, 600 V, N-Canal, M712, 24-Pines

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …

Precio unitario: 113,904€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí