Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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FGW40N120HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW40N120HD, N-Canal, 40 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple |
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Precio unitario: 11,679€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW40N120VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 63 A, 1.85 V, 340 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 63A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 340W |
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Precio unitario: 7,488€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW50N60HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW50N60HD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 95 A, 1.5 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 7,227€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW50N60VD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW50N60VD, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 85 A, 1.6 V, 360 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 7,439€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW75N60HD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 100 A, 1.5 V, 500 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V Disipación de Potencia Pd: 500W
Otros nombres: IGBT, FGW75N60HD, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines.
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Precio unitario: 10,854€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMH20N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,793€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 119 |
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FMH30N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 4,093€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 376 |
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FMH47N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 7,062€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMP20N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMP30N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,725€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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FMV20N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 2,677€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FMV30N60S1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 3,696€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 401 |
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FMW20N60S1HF |
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Fabricado por:
MOSFET, FMW20N60S1HF, N-Canal, 20 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 3,550€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FMW30N60S1HF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 7,149€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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FMW47N60S1HF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 47A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, FMW47N60S1HF, N-Canal, 47 A, 600 V, 3-Pin, TO-247.
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Precio unitario: 11,495€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |