Mostrando 124 resultados para Fuji Electric.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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7MBR25UA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR25UA-120-50, Puente trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 57,958€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR25VA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR25VA-120-50, Puente trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 51,012€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR35VB-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR35VB-120-50, Puente trifásico, 35 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 79,104€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR50U2A-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR50U2A-060-50, N-Canal, 50 A, 600 V, M711, 24-Pines Trifásico |
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Precio unitario: 35,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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7MBR50UA-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR50UA-120-50, Puente trifásico, 50 A, 1.200 V, N-Canal, M711, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 91,374€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR50VB-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico.
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Precio unitario: 104,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 27 |
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7MBR75U4B-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR75U4B-120-50, Puente trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 110,202€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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7MBR75VB-060-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR75VB-060-50, Puente trifásico, 75 A, 600 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 85,506€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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7MBR75VB-120-50 |
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Fabricado por:
Módulo IGBT, 7MBR75VB-120-50, Puente trifásico, 75 A, 1.200 V, N-Canal, M712, 24-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 129,456€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW15N120HD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 31 A, 1.8 V, 155 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 31A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V Disipación de Potencia Pd: 155W
Otros nombres: IGBT, FGW15N120HD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple.
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Precio unitario: 4,734€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW15N120VD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW15N120VD, N-Canal, 15 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 28 A, 1.85 V, 155 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 4,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW25N120VD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 48 A, 1.85 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 48A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 260W |
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Precio unitario: 6,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW30N120HD |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 53 A, 1.8 V, 260 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 53A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V Disipación de Potencia Pd: 260W
Otros nombres: IGBT, FGW30N120HD, N-Canal, 30 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines.
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Precio unitario: 5,849€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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FGW30N60VD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW30N60VD, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en …
Otros nombres: Transistor Único IGBT, 55 A, 1.6 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
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Precio unitario: 6,924€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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FGW35N60HD |
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Fabricado por:
IGBT, FGW35N60HD, N-Canal, 35 A, 600 V, TO-247, 3-Pines El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en … |
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Precio unitario: 5,380€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |