2MBI400U4H-120-50 | Módulo IGBT, 2MBi400U4H-120-50, Serie, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines

1 variante disponible.

Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 400 A, 2.05 V, 2.045 kW, 1.2 kV, Module.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Módulo IGBT, 2MBi400U4H-120-50, Serie, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines

Fabricado por: Fuji Electric

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 117,976€
Entrega 7 días