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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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2ASC-17A1HP |
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Fabricado por:
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Otros nombres: Placa de evaluación Driver de puerta MOSFET Microchip High Performance SiC Gate Driver Core - 2ASC-17A1HP.
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Precio unitario: 106,273€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2DB1689-7 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 12 V, 300 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 300MHz |
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Precio unitario: 0,036€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2777 |
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2DB1694-7 |
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Fabricado por:
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 300mW; SOT323
Otros nombres: Transistor, 2DB1694-7, PNP 1 A 30 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 300 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,035€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 440 |
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2DB1713-13 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 180MHz |
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Precio unitario: 0,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 19 |
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2DB1714-13 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 30 V, 200 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Frecuencia de Transición ft: 200MHz |
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Precio unitario: 0,091€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2DD1664Q-13 |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; 32V; 1A; 1W; SOT89; Uso: rama automotriz |
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Precio unitario: 0,061€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1135 |
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2DD1766R-13 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 1910 |
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2DD2098R-13 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,084€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 455 |
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2DD2652-7 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 12 V, 260 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 260MHz
Otros nombres: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 1,5A; 300mW; SOT323.
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Precio unitario: 0,039€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 725 |
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2DD2656-7 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 30 V, 270 MHz, 300 mW, 500 mA, 270 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Frecuencia de Transición ft: 270MHz
Otros nombres: Transistor, 2DD2656-7, NPN 1 A 30 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 270 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,039€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3355 |
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2DD2661-13 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1 A, 270 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 170MHz |
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Precio unitario: 0,091€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1600 |
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2DD2678-13 |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 170MHz
Otros nombres: TDSTD8023.
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Precio unitario: 0,081€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2DD2679-13 |
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Fabricado por:
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 900mW; SOT89
Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 30 V, 240 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE, Transistor, 2DD2679-13, NPN 2 A 30 V SOT-89, 3 pines, Simple.
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Precio unitario: 0,090€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2500 |
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2ED300C17-S |
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Fabricado por:
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
Otros nombres: ICGDRV1035.
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Precio unitario: 184,300€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2ED300C17-ST |
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Fabricado por:
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV |
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Precio unitario: 210,490€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |