Inicio » Semiconductores - Discretos » Transistores » Arrays y Módulos IGBT

Mostrando 362 referencias.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
1MBI1600U4C-170
1MBI1600U4C-170

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.47V

Precio unitario: 561,630€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
1MBI400V-120-50
1MBI400V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.

Precio unitario: 100,880€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
1MBI600V-120-50
1MBI600V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 720 A, 1.2 kV, 3 kW, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 720A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.

Precio unitario: 91,209€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
1MBI900V-120-50
1MBI900V-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.04 kA, 1.2 kV, 4.3 kW, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.04kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.

Precio unitario: 150,350€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
2MBI100TA-060-50
2MBI100TA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.4 V, 310 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100TA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M232, 7-Pines Serie.

Precio unitario: 42,816€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 658
2MBI100U4A-120-50
2MBI100U4A-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.2 V, 540 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.2V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100U4A-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines.

Precio unitario: 43,729€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 110
2MBI100VA-060-50
2MBI100VA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI100VA-060-50, N-Canal, 100 A, 600 V, M263, 7-Pines Serie.

Precio unitario: 48,878€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 34
2MBI100VA-120-50
2MBI100VA-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi100VA-120-50, Serie, 100 A, 1.200 V, N-Canal, M263, 7-Pines.

Precio unitario: 40,290€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 59
2MBI1200U4G-120
2MBI1200U4G-120

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.6 kA, 2.22 V, 6.25 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.6kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.22V

Precio unitario: 522,830€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
2MBI150U2A-060-50
2MBI150U2A-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 2.35 V, 500 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.35V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI150U2A-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M232, 7-Pines.

Precio unitario: 41,759€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
2MBI150U4A-120-50
2MBI150U4A-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI150U4A-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines.

Precio unitario: 63,457€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 37
2MBI150VA-060-50
2MBI150VA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.6 V, 650 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi150VA-060-50, Serie, 150 A, 600 V, N-Canal, M263, 7-Pines.

Precio unitario: 58,355€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 66
2MBI150VA-120-50
2MBI150VA-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 785 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Precio unitario: 67,555€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 34
2MBI200U2A-060-50
2MBI200U2A-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.45 V, 660 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.45V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBI200U2A-060-50, Serie, 200 A, 600 V, N-Canal, M235, 7-Pines.

Precio unitario: 67,628€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
2MBI200U4H-120-50
2MBI200U4H-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.05V

Otros nombres: Módulo IGBT, 2MBi200U4H-120-50, Serie, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M249, 7-Pines.

Precio unitario: 92,907€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí