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| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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VS-GB75SA120UP |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 131 A, 3.3 V, 658 W, 1.2 kV, SOT-227 Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 131A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.3V |
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Precio unitario: 25,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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VS-GB75YF120N |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 100 A, 3.8 V, 480 W, 1.2 kV, EconoPACK Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, VS-GB75YF120N, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO2, 49-Pines, 8 to 60kHz Medio puente doble.
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Precio unitario: 290,030€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |