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Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SKM75GB12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 115 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 115A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM75GB12T4 , N-Canal, 115 A, 1200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 58,365€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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SKM75GB12V |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 114 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 114A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM75GB12V, N-Canal, 114 A, 1200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 49,742€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SKM75GB176D |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 80 A, 2 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 75A.
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Precio unitario: 82,993€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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SKM800GA176D |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja, Canal N, 830 A, 2 V, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 830A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 245,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |
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STGIPL14K60 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 600 V, 44 W, SDIP Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 15A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V
Otros nombres: IGBT, STGIPL14K60, N-Canal, 15 A, 600 V, SDIP, 38-Pines.
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Precio unitario: 8,197€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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STGIPS10K60A |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 10 A, 600 V, 33 W, SDIP Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 10A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V
Otros nombres: IGBT10595, Módulo de potencia inteligente, STGIPS10K60A, N-Canal, 10 A, 600 V, SDIP, 25-Pines.
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Precio unitario: 5,626€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59 |
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TDB6HK180N16RRB11BOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 140 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 140A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 90,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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TDB6HK180N16RRBOSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 140 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 140A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 95,458€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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VLA517-01R |
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Fabricado por:
Controlador de Puerta con Aislamiento Galvánico para IGBTs o MOSFETs, 4A, SIP-15 Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 4A Encapsulado del Transistor: SIP
Otros nombres: Driver MOSFET de potencia VLA517-01R, 4A Módulo SIP, 15 pines, Driver MOSFET de potencia VLA517-01R, 4A Módulo SIP, 15 pines, alimentación 20→ 22 V.
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Precio unitario: 12,106€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2775 |
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VS-CPV363M4FPBF |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 11 A, 2 V, 36 W, 600 V, SIP Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 11A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 47,472€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16 |
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VS-CPV364M4FPBF |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, HEXFRED, Canal N, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 27A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V |
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Precio unitario: 33,999€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 74 |
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VS-CPV364M4KPBF. |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 24 A, 1.8 V, 63 W, 600 V, SIP Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 24A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V |
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Precio unitario: 37,015€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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VS-GA200SA60UP |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.92 V, 500 W, 600 V, SOT-227 Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.92V
Otros nombres: IGBT, VS-GA200SA60UP, N-Canal, 200 A, 600 V, SOT-227, 4-Pines Simple.
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Precio unitario: 25,550€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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VS-GB100DA60UP |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 125 A, 2.4 V, 447 W, 600 V, SOT-227 Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 125A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.4V |
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Precio unitario: 26,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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VS-GB50YF120N |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 66 A, 4.15 V, 330 W, 1.2 kV, EconoPACK Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 66A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 4.15V |
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Precio unitario: 108,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |