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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
6MBP25VAA-120-50
6MBP25VAA-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 2.1 V, 166 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V

Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP25VAA-120-50, Trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.

Precio unitario: 49,887€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 37
6MBP30RH-060-50
6MBP30RH-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.7V

Precio unitario: 48,917€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
6MBP50VAA-060-50
6MBP50VAA-060-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 2 V, 192 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V

Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VAA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.

Precio unitario: 54,611€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 49
7MBR50VB-120-50
7MBR50VB-120-50

Fabricado por: Fuji Electric

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Otros nombres: Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico.

Precio unitario: 104,760€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 27
A1C15S12M3-F
A1C15S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 1.95 V, 142.8 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 15A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2420.

Precio unitario: 27,480€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
A1P25S12M3
A1P25S12M3

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2421.

Precio unitario: 25,181€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3
A1P25S12M3-F
A1P25S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2423.

Precio unitario: 25,734€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
A1P35S12M3-F
A1P35S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2426.

Precio unitario: 28,877€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 12
A1P50S65M2
A1P50S65M2

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; 208W.

Precio unitario: 23,144€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 40
A2C25S12M3
A2C25S12M3

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2425.

Precio unitario: 36,317€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4
A2C25S12M3-F
A2C25S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2433.

Precio unitario: 37,840€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
A2C35S12M3
A2C35S12M3

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2432.

Precio unitario: 36,045€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
A2C35S12M3-F
A2C35S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2430.

Precio unitario: 36,618€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 14
A2P75S12M3-F
A2P75S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2427.

Precio unitario: 50,847€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2
BSM10GD120DN2
BSM10GD120DN2

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 3.2 V, 80 W, 1.2 kV, EconoPACK

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 15A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Precio unitario: 43,737€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí