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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
BSM25GD120DN2
BSM25GD120DN2

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPACK

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3V

Otros nombres: IGBT1845.

Precio unitario: 69,859€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 105
BSM50GB120DLC
BSM50GB120DLC

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 115 A, 2.6 V, 460 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 115A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.6V

Precio unitario: 57,492€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BSM50GD120DN2BOSA1
BSM50GD120DN2BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 72A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3V

Precio unitario: 103,790€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7
BSM75GAR120DN2
BSM75GAR120DN2

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 3 V, 625 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3V

Precio unitario: 58,743€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
CM200DU-24F
CM200DU-24F

Fabricado por: Mitsubishi Electric

Arrays y Módulos IGBT

IGBT MODULE, 1.2KV, 200A

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Precio unitario: 151,068€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
CM200DU-24H
CM200DU-24H

Fabricado por: Mitsubishi Electric

Arrays y Módulos IGBT

IGBT MODULE, 1.2KV, 200A, MODULE

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Precio unitario: 205,640€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2
CM300DY-12NF
CM300DY-12NF

Fabricado por: Mitsubishi Electric

Arrays y Módulos IGBT

IGBT Module

Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V Disipación de Potencia Pd: 780W

Precio unitario: 160,050€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
CM400DY-12NF
CM400DY-12NF

Fabricado por: Mitsubishi Electric

Arrays y Módulos IGBT

IGBT MODULE, 600V, 400A

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Colector DC: 400A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V

Precio unitario: 200,790€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5
CM400HA-24A
CM400HA-24A

Fabricado por: Mitsubishi Electric

Arrays y Módulos IGBT

IGBT MODULE, 1200V, 400A, IGBTMOD

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Colector DC: 400A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Precio unitario: 165,870€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
CM600HA-24A
CM600HA-24A

Fabricado por: Mitsubishi Electric

Arrays y Módulos IGBT

IGBT MODULE, 1200V, 600A, IGBTMOD

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV

Precio unitario: 187,210€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 39
CM75DU-12F
CM75DU-12F

Fabricado por: Mitsubishi Electric

Arrays y Módulos IGBT

IGBT MODULE, 600V, 75A

Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 600V

Precio unitario: 48,034€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L100R07W2E3B11BOMA1
F3L100R07W2E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, EasyPACK 2B, Canal N, 100 A, 1.45 V, 300 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 45,891€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 91
F3L100R12W2H3B11BPSA1
F3L100R12W2H3B11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.55 V, 375 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Precio unitario: 49,422€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
F3L150R07W2E3B11BOMA1
F3L150R07W2E3B11BOMA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, EasyPACK, Canal N, 150 A, 1.45 V, 335 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 53,593€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
F3L200R07PE4BOSA1
F3L200R07PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 200 A, 1.55 V, 680 W, 650 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Otros nombres: Módulo IGBT, F3L200R07PE4BOSA1, Serie, 200 A, 650 V, N-Canal, ECONO4, 20-Pines.

Precio unitario: 120,280€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4