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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
BC847S
BC847S

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 300mW

Otros nombres: Transistor, BC847S, NPN 200 mA 45 V HFE:110 Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 200 MHz,.

Precio unitario: 0,074€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BC847W,115
BC847W,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, 45 V, 200 mW, 100 mA, 180 hFE, SOT-323

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 110 hFE.

Precio unitario: 0,023€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 14328
BC848CDW1T1G
BC848CDW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Otros nombres: Transistor, BC848CDW1T1G, NPN 100 mA 30 V SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Simple.

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5787
BC848CPDW1T1G
BC848CPDW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 30 V, 380 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Otros nombres: Transistor, BC848CPDW1T1G, NPN + PNP 100 ((Continuous) NPN) mA, 200 ((Peak) PNP) mA 30 (NPN) V, -30 (PNP) V Dual, Transistor: NPN / PNP; bipolar; par complementario; 30V; 0,1A.

Precio unitario: 0,028€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BC856BDW1T1G
BC856BDW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363, Transistor bipolar, BC856BDW1T1G, PNP 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado, Transistor, BC856BDW1T1G, PNP 100 (Continuous) mA, 200 (Peak) mA -65 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz.

Precio unitario: 0,032€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 9079
BC856BS,115
BC856BS,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -65 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor de Unión Bipolar Único, PNP Doble, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, Transistor, BC856BS,115, PNP 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, Aislado.

Precio unitario: 0,041€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 21675
BC856S,115
BC856S,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP Doble, -65 V, 220 mW, -100 mA, 110 hFE

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -65V Disipación de Potencia Pd: 220mW

Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -65 V, 220 mW, -100 mA, 110 hFE, SOT-363.

Precio unitario: 0,057€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 24074
BC857BDW1T1G
BC857BDW1T1G

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Disipación de Potencia Pd: 380mW

Otros nombres: Transistor, BC857BDW1T1G, PNP 100 mA 45 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,032€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 19156
BC857BS,115
BC857BS,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP, 45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SC-88

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 45V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363, Transistor, BC857BS,115, PNP 100 mA 45 V Dual UMT, 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,036€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 190594
BC857BV,115
BC857BV,115

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-666

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, BC857BV,115, PNP 100 mA 45 V Dual SSMini, 6 pines, 100 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,035€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BC857QAS
BC857QAS

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, PNP Doble, -45 V, 350 mW, -100 mA, 200 hFE, DFN1010B

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Disipación de Potencia Pd: 350mW

Precio unitario: 0,033€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BC857RAZ
BC857RAZ

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -45 V, 480 mW, -100 mA, 200 hFE, DFN1412

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Disipación de Potencia Pd: 480mW

Precio unitario: 0,042€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5000
BC857S
BC857S

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -45V Disipación de Potencia Pd: 300mW

Otros nombres: Transistor, BC857S, PNP 200 mA 45 V HFE:125 Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 200 MHz,.

Precio unitario: 0,068€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
BCM53DSF
BCM53DSF

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, -80 V, 400 mW, -1 A, 0.95 hFE, TSOP

Polaridad de Transistor: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -80V Disipación de Potencia Pd: 400mW

Precio unitario: 0,077€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10000
BCM56DSF
BCM56DSF

Fabricado por: Nexperia

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 80 V, 400 mW, 1 A, 0.95 hFE, TSOP

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 80V Disipación de Potencia Pd: 400mW

Precio unitario: 0,076€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 9970