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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
DMMT3904W-7-F
DMMT3904W-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, DMMT3904W-7-F, NPN 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 300 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,081€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
DMMT3906W-7-F
DMMT3906W-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, PNP, -40 V, 200 mW, -200 mA, 100 hFE, SOT-363

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Disipación de Potencia Pd: 200mW

Otros nombres: Transistor, DMMT3906W-7-F, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 250 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,082€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 1490
DMMT5401-7-F
DMMT5401-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP, -150 V, 300 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-26

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -150V Disipación de Potencia Pd: 300mW

Otros nombres: Transistor, DMMT5401-7-F, PNP 200 mA 150 V Dual SOT-26, 6 pines, 300 MHz, Aislado.

Precio unitario: 0,076€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4557
DMMT5551-7-F
DMMT5551-7-F

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 300mW

Otros nombres: Transistor, DMMT5551-7-F, NPN 200 mA 160 V HFE:30 Dual SOT-26, 6 pines, 300 MHz,.

Precio unitario: 0,070€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2397
DMMT5551S
DMMT5551S

Fabricado por: Diodes Inc.

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 300mW

Precio unitario: 0,092€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2704
DS2003CM
DS2003CM

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 500mA

- Precio unitario: 0,349€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
DS2003CM/NOPB
DS2003CM/NOPB

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

DARLINGTON TRANSISTOR PAIR, NPN, 7, 50V,

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 350mA

- Precio unitario: 0,439€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
DS2003TM/NOPB
DS2003TM/NOPB

Fabricado por: Texas Instruments

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 350 mA, SOIC

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Corriente de Colector DC: 350mA

Otros nombres: Par Darlington, DS2003TM/NOPB, NPN 500 mA, 55 V,, SOIC, 16 pines.

- Precio unitario: 0,342€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
EMF5T2R
EMF5T2R

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, -12 V, EMT

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -12V Encapsulado del Transistor: EMT

Precio unitario: 0,040€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
EMT1T2R
EMT1T2R

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, EMT

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: TDSTD7418.

Precio unitario: 0,071€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
EMX1FHAT2R
EMX1FHAT2R

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN Doble, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,040€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7975
EMX1T2R
EMX1T2R

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Otros nombres: TDSTD7243.

Precio unitario: 0,070€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
EMZ1FHAT2R
EMZ1FHAT2R

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, AEC-Q101, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,056€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4304
EMZ1T2R
EMZ1T2R

Fabricado por: Rohm

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT

Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Disipación de Potencia Pd: 150mW

Precio unitario: 0,073€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4983
FFB2222A
FFB2222A

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)

Array de Transistores Bipolares, NPN, 40 V, 300 mW, 500 mA, 300 hFE, SC-70

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 300mW

Otros nombres: Transistor, FFB2222A, NPN 500 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 300 MHz, Aislado, Transistor, FFB2222A, NPN 500 mA 40 V HFE:100 Dual SOT-363 (SC-70), 6 pines, 300 MHz,.

Precio unitario: 0,055€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí