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Mostrando 298 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IDM08G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 27 A, 28 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 3,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2310 |
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IDM10G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 4,045€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 206 |
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IDV02S60C |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 600V, Simple, 600 V, 2 A, 3.2 nC, TO-220FP Rango de Producto: Serie thinQ 2G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 0,757€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDV03S60C |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 600V, Simple, 600 V, 3 A, 5 nC, TO-220FP Rango de Producto: Serie thinQ 2G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 1,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 577 |
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IDW10G120C5BFKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x5A.
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Precio unitario: 4,433€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 236 |
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IDW10G65C5FKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 2,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDW12G65C5FKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 12A; 76W.
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Precio unitario: 3,327€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDW15G120C5BFKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 49 A Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x7,5A.
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Precio unitario: 6,421€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 175 |
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IDW16G65C5FKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 4,220€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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IDW20G120C5BFKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 62 A, 106 nC Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x10A.
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Precio unitario: 8,876€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 250 |
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IDW20G65C5FKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Simple, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 4,908€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDW30G120C5BFKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 87 A Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Doble Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x15A.
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Precio unitario: 13,318€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 238 |
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IDW30G65C5FKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 7,372€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDW40G120C5BFKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Cátodo Común, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Cátodo Común Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x20A.
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Precio unitario: 19,322€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 246 |
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IDW40G65C5FKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Simple, 650 V, 40 A, 55 nC, TO-247 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 12,174€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |