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Mostrando 298 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IDH10G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Único, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, IDH10G120C5XKSA1, 31.9A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.6V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10A.
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Precio unitario: 4,200€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 496 |
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IDH10G65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 10A; 89W.
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Precio unitario: 2,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH10G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 1,940€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 552 |
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IDH10S120AKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 1200V, Simple, 1.2 kV, 10 A, 36 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 2G 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 8,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11 |
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IDH10S60CAKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 600V, Simple, 600 V, 10 A, 24 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 2G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 2,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH12G65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 650V Series, Único, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ 5G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 4,297€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH12G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 2,309€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 835 |
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IDH12SG60CXKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Simple, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Otros nombres: Diodo, IDH12SG60CXKSA1, 12A, 600V, TO-220, 2-Pines.
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Precio unitario: 3,405€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH15S120AKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 1200V, Simple, 1.2 kV, 15 A, 54 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 2G 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 10,146€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH16G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, IDH16G120C5XKSA1, 40A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.85V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 16A.
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Precio unitario: 6,344€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 409 |
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IDH16G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 34 A, 21.5 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 2,978€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 758 |
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IDH20G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Único, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, IDH20G120C5XKSA1, 56A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.6V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A.
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Precio unitario: 8,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 496 |
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IDH20G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 3,861€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 386 |
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IDM02G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Único, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 2A; 98W.
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Precio unitario: 1,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1834 |
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IDM05G120C5XTMA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 2,241€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2511 |