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Mostrando 298 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IDH03SG60CXKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Simple, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V
Otros nombres: Diodo, IDH03SG60CXKSA1, 3A, TO-220, 2-Pines, Schottky SiC.
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Precio unitario: 0,711€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 40 |
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IDH04G65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 0,791€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20 |
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IDH04G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 0,841€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 431 |
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IDH04SG60CXKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Único, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 1,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH05G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ 5G 1200V Series, Único, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ 5G 1200V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, IDH05G120C5XKSA1, 19.1A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.6V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 5A; 109W.
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Precio unitario: 2,289€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 637 |
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IDH05G65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 1,358€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH05S120AKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 1200V, Simple, 1.2 kV, 5 A, 18 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 2G 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 5,607€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH06G65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo, IDH06G65C5XKSA1, 6A, 650V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.1V, Schottky SiC.
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Precio unitario: 1,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 375 |
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IDH06G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 1,164€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 781 |
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IDH06SG60CXKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220 Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa Continua If: 6A |
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Precio unitario: 1,620€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH08G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Único, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220 Rango de Producto: thinQ Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, IDH08G120C5XKSA1, 22.8A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.85V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 8A; 126W.
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Precio unitario: 3,269€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 353 |
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IDH08G65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 8A; 76W.
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Precio unitario: 1,765€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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IDH08G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 1,523€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 750 |
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IDH08S120AKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 1200V, Simple, 1.2 kV, 7.5 A, 27 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 2G 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 7,440€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 126 |
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IDH08SG60CXKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 3G 600V, Simple, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 3G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 2,474€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |