Fabricado por: Nexperia

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Estructura de Zanja (Trench), Canal N, 240 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 240mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Fabricado por: Nexperia

Transistores MOSFET Dobles

MOSFET Doble, Canal N Doble, 260 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1.6 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 260mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Fabricado por: On Semiconductor

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 1.2 kV, PIM

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 67A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.35V

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 50 V, 80 MHz, 200 mW, 150 mA, 200 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 80MHz

Fabricado por: Nexperia

Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT)

Transistor de Unión Bipolar Único, Propósito General, NPN, 50 V, 80 MHz, 200 mW, 150 mA, 120 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 80MHz

Fabricado por: Ween Semiconductors

Diodos Schottky de Carburo de Silicio

Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 4 A, TO-252

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 4A

Fabricado por: Ween Semiconductors

Diodos Schottky de Carburo de Silicio

Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 4 A, TO-220AC

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 4A

Fabricado por: Ween Semiconductors

Diodos Schottky de Carburo de Silicio

Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 8 A, TO-263

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 8A

Fabricado por: Ween Semiconductors

Diodos Schottky de Carburo de Silicio

Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 8 A, TO-220AC

Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 8A

Fabricado por: Littelfuse

Tiristores SCR

Tiristor, 200 V, 200 µA, 250 mA, SOT-23, 3 Pines

Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 250mA Encapsulado del Tiristor: SOT-23

Fabricado por: Littelfuse

Tiristores SCR

SCR THYRISTOR, 200V

Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 250mA Encapsulado del Tiristor: SOT-23

Fabricado por: Littelfuse

Tiristores SCR

Tiristor, 600 V, 200 µA, 1.5 A, SOT-223, 4 Pines

Corriente de Disparo de Puerta Máx. Igt: 200µA Corriente en Estado Conductor IT(rms): 1.5A Encapsulado del Tiristor: SOT-223

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 18 V, 250 mW, SOD-923, 2 %, 2 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 18V Disipación de Potencia Pd: 250mW Encapsulado del Diodo: SOD-923

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 2.4 V, 200 mW, SOD-923, 2 %, 2 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 2.4V Disipación de Potencia Pd: 200mW Encapsulado del Diodo: SOD-923

Fabricado por: On Semiconductor

Diodos Zener Simples

Diodo Zener Simple, 3.3 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pines, 150 °C

Tensión Zener Vz Típica: 3.3V Disipación de Potencia Pd: 250mW Encapsulado del Diodo: SOD-923