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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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RHP030N03FRAT100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 30 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 945 |
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RHP030N03T100 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOSS6627.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RHRD660S9A |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, 600 V, 6 A, Único, 2.1 V, 35 ns, 60 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 6A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo de conmutación, RHRD660S9A, Diodo, RHRD660S9A, Conmutación, 6A, 600V, 35ns, DPAK (TO-252), 3-Pines, Conexión de silicio, HYPERFAST DIODE, 6A, 600V, TO-252.
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Precio unitario: 0,384€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2410 |
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RHRP30120.. |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Hiper-Rápido, 1.2 kV, 30 A, Único, 3.2 V, 65 ns, 300 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa If(AV): 30A Configuración de Diodo: Único |
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Precio unitario: 0,889€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3497 |
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RHRP860 |
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Fabricado por:
Diodo Rápido / Ultrarápido, Suave, 600 V, 8 A, Único, 2.1 V, 35 ns, 100 A Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V Corriente Directa If(AV): 8A Configuración de Diodo: Único
Otros nombres: Diodo: rectificador; THT; 600V; 8A; tubo; Ifsm: 100A; TO220-2; 75W.
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Precio unitario: 0,422€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2034 |
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RHU002N06FRAT106 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 200 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOS1760.
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Precio unitario: 0,031€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1986 |
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RHU002N06T106 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 200 mA, 60 V, 2.4 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,039€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RHU003N03FRAT106 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 300 mA, 30 V, 0.8 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 300mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,043€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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RJ1P12BBDTLL |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 100 V, 0.0044 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, RJ1P12BBDTLL, N-Canal, 120 A, 100 V, 3-Pin, TO-263AB, MOSFET, RJ1P12BBDTLL, N-Canal-Canal, 120 A, 100 V, 3-Pin, TO-263AB RJ1P12BBD Simple.
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Precio unitario: 1,892€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RJ1U330AAFRGTL |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 1,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 100 |
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RJH60F0DPQ-A0#T0 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 50 A, 1.7 V, 201.6 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V Disipación de Potencia Pd: 201.6W |
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Precio unitario: 1,280€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RJH60F4DPQ-A0#T0 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 60 A, 1.7 V, 235.8 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 60A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V Disipación de Potencia Pd: 235.8W |
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Precio unitario: 1,552€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RJK005N03FRAT146 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 500 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 500mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOS2224.
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Precio unitario: 0,062€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2975 |
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RJK0454DPB |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 40 V, 0.0039 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,792€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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RJK0656DPB-00#J5 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,915€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |