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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SCS315AJTLL |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-263AB Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 15A |
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Precio unitario: 3,308€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SCS315AMC |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 15 A, 37 nC, TO-220FM Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 15A
Otros nombres: DSKY5681, SIC1047.
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Precio unitario: 3,327€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SCS320AHGC9 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220ACP Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 20A
Otros nombres: DSKY5364.
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Precio unitario: 4,093€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SCS320AJTLL |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-263AB Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 20A |
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Precio unitario: 4,462€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SCS320AMC |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 20 A, 47 nC, TO-220FM Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 20A |
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Precio unitario: 4,310€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 50 |
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SCT10N120 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, 20 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: Módulo MOSFET, SCT10N120, N-Canal-Canal, 12 A, 1.200 V, Reducción, 3-Pin, HiP247™ SCT SiC.
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Precio unitario: 5,830€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SCT2080KEC |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOSP10870.
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Precio unitario: 16,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 735 |
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SCT2080KEHRC11Z |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 18 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV |
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Precio unitario: 19,070€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SCT2120AFC |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 29 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 8,749€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 35 |
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SCT2160KEC |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, 18 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOSP11049.
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Precio unitario: 9,099€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1713 |
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SCT2280KEC |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 14 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, 18 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOSP11161.
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Precio unitario: 5,586€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 308 |
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SCT2450KEC |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 10 A, 1.2 kV, 0.45 ohm, 18 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.2kV
Otros nombres: TMOSP11348, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 7A; Idm: 25A; 85W.
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Precio unitario: 4,384€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 449 |
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SCT2750NYTB |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 6 A, 1.7 kV, 0.75 ohm, 18 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.7kV |
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Precio unitario: 3,924€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 789 |
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SCT2H12NYTB |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 4 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.7kV
Otros nombres: TMOSP12912.
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Precio unitario: 3,437€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 136 |
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SCT2H12NZGC11 |
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Fabricado por:
MOSFET de Potencia de Carburo de Silicio, Canal N, 3,7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, 18 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 1.7kV
Otros nombres: TMOS1097.
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Precio unitario: 3,475€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 413 |