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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SGP02N120XKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pines Corriente de Colector DC: 6.2A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.1V Disipación de Potencia Pd: 62W
Otros nombres: IGBT, SGP02N120XKSA1, N-Canal, 2 A, 1.200 V, TO-220, 3-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 0,809€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SGP07N120XKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 16.5 A, 3.1 V, 125 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pines Corriente de Colector DC: 16.5A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.1V Disipación de Potencia Pd: 125W |
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Precio unitario: 1,707€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SGP15N120XKSA1 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, NPT, 30 A, 3.1 V, 198 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pines Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.1V Disipación de Potencia Pd: 198W |
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Precio unitario: 2,609€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SGW15N60 |
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Fabricado por:
Transistor Único IGBT, 31 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-247, 3 Pines Corriente de Colector DC: 31A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V Disipación de Potencia Pd: 139W |
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Precio unitario: 1,707€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8K11GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.5 A, 30 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8K26GZ0TB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 6 A, 40 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SH8K26GZ0TB Dual, N-Canal, 6 A, 40 V, 8-Pin, SOP.
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Precio unitario: 0,253€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8K32GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,479€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 20 |
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SH8K41GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,192€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SH8K41TB.. |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V |
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Precio unitario: 0,354€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8KA2GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 8 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SH8KA2GZETB Dual, N-Canal, 8 A, 30 V, 8-Pin, SOP.
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Precio unitario: 0,402€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8KA4TB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 9 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,273€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8M11GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.5 A, 30 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,216€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SH8M24GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 6 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 45V |
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Precio unitario: 0,388€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 67 |
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SH8M41GZETB |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N y P, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, SH8M41GZETB Dual N/P-Canal, 8-Pin, SOP.
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Precio unitario: 0,848€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 180 |
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SI1012CR-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 630mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI1012CR-T1-GE3, N-Canal-Canal, 630 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-416 (SC-75 A) Simple Si, TMOSS6661.
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Precio unitario: 0,082€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 159420 |