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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI2323DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FULL REEL Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -3.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,656€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI2325DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -530mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: TMOS2216.
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Precio unitario: 0,368€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 9676 |
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SI2328DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, SI2328DS-T1-E3, N-Canal-Canal, 1,15 A, 100 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si, MOSFET, SI2328DS-T1-E3, N-Canal-Canal, 1.15 A, 100 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,685€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI2333CDS-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -7.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,535€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3455 |
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SI2333CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -7.1 A, -12 V, 0.0285 ohm, -4.5 V, -400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -7.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: Transistor MOSFET, SI2333CDS-T1-GE3, P-Canal, 5,1 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23.
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Precio unitario: 0,191€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI2333DDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: MOSFET, SI2333DDS-T1-GE3, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,118€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 59750 |
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SI2333DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FULL REEL Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -5.3 A, -12 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -1 V.
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Precio unitario: 0,479€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI2333DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: TMOS1239.
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Precio unitario: 0,595€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1670 |
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SI2334DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 4.9 A, 30 V, 0.035 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,180€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5279 |
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SI2336DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5.2 A, 30 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: TMOSS6484.
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Precio unitario: 0,156€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 34836 |
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SI2337DS-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -2,2A; Idm: -7A; 1,6W; SOT23.
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Precio unitario: 0,362€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 217 |
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SI2337DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -80V
Otros nombres: MOSFET, SI2337DS-T1-GE3, P-Canal, 1,75 A, 80 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.
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Precio unitario: 0,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1889 |
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SI2338DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, SI2338DS-T1-GE3, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,217€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13584 |
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SI2342DS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6 A, 8 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 8V
Otros nombres: TMOS1427.
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Precio unitario: 0,157€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4504 |
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SI2343CDS-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3 Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -5.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: MOSFET, SI2343CDS-T1-GE3, P-Canal, 4,7 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si, Transistor MOSFET, Canal P, -5.9 A, -30 V, 0.037 ohm, -10 V, -1.2 V.
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Precio unitario: 0,305€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1940 |