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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI3437DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -150 V, 0.61 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: MOSFET, SI3437DV-T1-GE3, P-Canal, 1,1 A, 150 V, 6-Pin, TSOP Simple Si, MOSFET, SI3437DV-T1-GE3, P-Canal, 1.1 A, 150 V, 6-Pin, TSOP Simple Si.
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Precio unitario: 0,286€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3440ADV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 150 V, 0.316 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: TMOS6692.
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Precio unitario: 0,090€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 860 |
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SI3440DV-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.2 A, 150 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,538€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 973 |
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SI3442CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.0225 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,130€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2145 |
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SI3443CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.97 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.97A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,146€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3676 |
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SI3443DV |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -700 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: Transistor digital, SI3443DV, TSOT-23, 6 pines.
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Precio unitario: 0,099€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3456DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3457DV |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,218€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3459BDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.9 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,230€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3460DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI3460DDV-T1-GE3, N-Canal, 7,9 A, 20 V, 6-Pin, TSOP.
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Precio unitario: 0,140€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7130 |
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SI3469DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6.7 A, -20 V, 0.024 ohm, -10 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,379€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3473CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -12 V, 0.016 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: MOSFET, SI3473CDV-T1-GE3, P-Canal, 8 A, 12 V, 6-Pin, TSOP6 Simple.
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Precio unitario: 0,585€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 66370 |
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SI3473DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -12 V, 0.0145 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V |
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Precio unitario: 0,095€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3474DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 100 V, 0.102 ohm, 10 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3,8A; Idm: 14A.
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Precio unitario: 0,120€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1659 |
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SI3477DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8 A, -12 V, 0.014 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V
Otros nombres: MOSFET, SI3477DV-T1-GE3, P-Canal, 8 A, 12 V, 6-Pin, TSOP TrenchFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |