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Mostrando 23431 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7190ADP-T1-RE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.4 A, 250 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V |
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Precio unitario: 0,697€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SI7214DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 4.6 A, 30 V, 0.0333 ohm, 10 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 4.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,421€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7223DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,333€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 17699 |
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SI7252DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 36.7 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 1.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 36.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOSP11547.
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Precio unitario: 0,888€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 165 |
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SI7272DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 25 A, 30 V, 0.0076 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 25A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,591€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5977 |
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SI7288DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 20 A, 40 V, 0.0156 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 20A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: MOSFET, SI7288DP-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 20 A, 40 V, 8-Pin, PowerPAK SO Aislado Si.
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Precio unitario: 0,538€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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SI7308DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal N, 6 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: TMOSP11016.
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Precio unitario: 0,441€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1079 |
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SI7309DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, TrenchFET, Canal P, -8 A, -60 V, 0.092 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V
Otros nombres: TMOS1837.
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Precio unitario: 0,378€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7849 |
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SI7336ADP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,232€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2341 |
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SI7336ADP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 1,676€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 263 |
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SI7370DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 1,232€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 92 |
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SI7370DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: STDMOS1198.
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Precio unitario: 1,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3435 |
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SI7386DP-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,641€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7386DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,950€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 499 |
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SI7413DN-T1-E3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -8.4 A, -20 V, 0.012 ohm, -1.8 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -8.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,417€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 283 |